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近红外半导体激光器是一种高能激光设备，利用产生780nm～1000nm波段的半导体芯片作为光源，通过光束切割、旋转、重排等工艺提升光束质量，通过光斑交叉填充、偏振合成与波长合成等实现功率倍增，再通过耦合、扩束、准直、合束等实现激光同轴小发散角输出，最终获得高能量密度的近红外激光。近红外半导体激光器具备体积小、重量轻、电光转化效率高，光束质量好，环境适应能力强等特点，可广泛应用于照明传能、科学研究和国防军工等领域。
